• couche mince
  • cristal
  • cristallisation
  • cristallographie
  • saphir
  • silicium
  • substrat
  • vide

Bâti de croissance de couches ultra-minces sous ultra-vide. Permet la croissance de couches et de multicouches sur des substrats cristallins (typiquement silicium, MgO, saphir) avec un contrôle des épaisseurs de l’ordre de 0.1 nm.

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Oui

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